SI APD雪崩光电探测器

圆形有源区APD芯片直径为100μm。 该装置为透明玻璃窗的密封TO52包装。其中根据定制要求，两种TO52类型可供选择。

产品特征：
?APD具有0.008mm2的有效面积
?100μm直径有效面积
?低偏置电压时的高增益
?快速上升时间，低电容
?较佳增益：50-60

产品应用：
?激光测距仪
?高速光度测定
?高速光通信
?医用器材

**较大额定值：
符号	参数	较小值	较大值	单位
TSTG	Storage temp	-55	125	℃
TOP	Operating temp	-40	100	℃
Mmax	Gain （IPO=1 nA）	-200		
IPEAK	Peak DC current		0.25	mA


光电参数@23℃：
符号	特性	测试条件	较小值	典型值	较大值	单位
	有效区域		直径 100	um
	有效区域		0.00785	mm2
ID	暗电流	M=100		0.05	0.1	nA
C	电容	M=100		0.5		pF
	响应	M=100；λ=800nm	45	50		A/W
tR	上升时间	M=100；λ=905nm；RL=50?			0.18	ns
	截止频率	-3dB	2			GHz
VBR	击穿电压	IR=2uA	80		160	v
	温度系数	VBR随时间变化	0.35	0.45	0.55	V/K
	过大噪声因素	M=100		2.2		
	过大噪声指数	M=100		0.2